採用屏蔽閘極結構 中電壓MOSFET功耗銳減

2013 年 12 月 12 日
同步整流架構是現今許多數據和電信設備電源系統的主要設計方式,其效率的高低與採用的MOSFET開關損耗表現息息相關,因此半導體業者研發出新的閘極屏蔽溝槽式中電壓MOSFET,可進一步降低導通電阻,在全負載和輕負載情況下,皆能顯著減少功率損耗。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

矽薄膜太陽電池轉換效率提升<br>高散射透明導電玻璃扮要角

2009 年 04 月 23 日

保護機制全面啟動 LED背光模組安全性升級

2011 年 10 月 24 日

導入系統級封裝光引擎 傳統燈具躍升智慧照明

2014 年 10 月 09 日

瞄準家庭物聯網應用 ZigBee/藍牙較勁IP網路設計

2015 年 04 月 11 日

分析脈衝訊號干擾機制/電磁參數 低軌衛星通訊電磁干擾有解

2022 年 02 月 03 日

電動車布局決勝關鍵 多物理分析加速馬達設計(1)

2023 年 04 月 06 日
前一篇
Miracast應用遍地開花 認證需求急速攀升
下一篇
德儀PFC控制器提高能源效率